千葉大学大学院理学研究科 物理集中講義　（中山隆史 先生 ご紹介）
平成27年7月8日-9日
概要
近年、トポロジカル絶縁体およびグラフェンが実験的に合成されたことを契機に関連物質が多くの興味を集めているが、これらは全て系の境界に特徴的な局在状態であるエッジ状態が存在しその起源は系に境界のないバルクの電子状態にあり、逆にまたバルクの電子状態はエッジ状態により特徴づけられると考えられる「バルク・エッジ対応」に従うトポロジカル相である。この観点からは、種々の量子ホール相、超伝導体のAndreev/Majorana局在状態、Weyl半金属ならびにグラフェンのSi類似物質であるシリセンもその一連の現象、物質群に属する。 講義では、このバルク・エッジ対応の原理に従う現象の多様性を紹介した上で、その普遍性を理解する。
講義
0. Outline： [pdf]
1. Introduction： [Talk file pdf]
2. Quantum Hall effects： [Talk file pdf]
♫ Gauge invariance and Laughlin argument: [Detail pdf]
3. Electronic structue of silicene： [Talk file pdf]
4. Berry phases & Chern number (their quantization)： [Talk file pdf]
5. Symmetry protection for topological phases： [Talk file pdf]
6. Bulk-edge correspondence： [Talk file pdf]
Q. Problems for the credit ： [pdf]